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J-GLOBAL ID：200902187324239221   整理番号：01A0234023

水素希釈したPE-CVDにより適度な高温で堆積したより安定な低ギャップa-Si:H層

More stable low gap a-Si:H layers deposited by PE-CVD at moderately high temperature with hydrogen dilution.

著者 (6件)： ZIEGLER Y (Uni-Ne, Neuchatel, CHE) ,  DAUDRIX V (Uni-Ne, Neuchatel, CHE) ,  DROZ C (Uni-Ne, Neuchatel, CHE) ,  PLATZ R (Uni-Ne, Neuchatel, CHE) ,  WYRSCH N (Uni-Ne, Neuchatel, CHE) ,  SHAH A (Uni-Ne, Neuchatel, CHE)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 66  号： 1/4  ページ： 413-419  発行年： 2001年02月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記膜堆積における水素希釈比率,VHFパワー,プラズマ励起周...

シソーラス用語： 水素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素 ,  希釈 ,  PE ,  CVD ,  堆積 ,  ギャップ ,  Si