文献
J-GLOBAL ID：200902187657302710
整理番号：97A0566056
化学蒸着したSiOF膜の水の吸着と加水分解のab initio分子軌道研究 II
Ab initio Molecular Orbital Study of Water Absorption and Hydrolysis of Chemical Vapor Deposited SiOF Films II.
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著者 (4件)：
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資料名：
巻：
36
号：
4B
ページ：
2545-2554
発行年：
1997年04月
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ふっ素ドープSiO
2(SiOF)膜の水...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜
引用文献 (19件)：
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1) Y. Nishiyama, R. Nakata, N. Hayasaka, H. Okano and A. Sato: Ext. Abstr. 40th Spring Meet. of the Japan Society of Applied Physics and Related Societies, Tokyo, 1993, Vol. 2, p. 799 [in Japanese].
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2) H. Miyajima, R. Katsumata, N. Hayasaka and H. Okano: Ext. Abstr. 16th Symp. Dry Process, Tokyo, 1994 (The Institute of Electrical Engineers of Japan, Tokyo, 1994) p. 133.
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3) H. Miyajima, R. Katsumata, Y. Nakasaki, N. Hayasaka and H. Okano: Proc. IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conf., Santa Clara, 1995 (IEEE, New York, 1995) p. 391.
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4) N. Hayasaka, H. Miyajima, Y. Nakasaki and R. Katsumata: Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995, eds. R. C. Ellwanger et al., Tokyo, 1995 (Mater. Res. Soc., 1995) p. 81.
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5) R. Katsumata, H. Miyajima, Y. Nakasaki and N. Hayasaka: Ext. Abstr. 17th Symp. Dry Process, Tokyo, 1995 (The Institute of Electrical Engineers of Japan, Tokyo, 1995) p. 269.
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