文献
J-GLOBAL ID：200902188196197479   整理番号：93A0911358

Er3+-doped silicon prepared by laser doping.

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著者 (5件)：
ASATSUMA T

ASATSUMA T について

(Trinity Coll., Dublin, IRL)

Trinity Coll., Dublin, IRL について

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DODD P

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(Trinity Coll., Dublin, IRL)

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DONEGAN J F

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(Trinity Coll., Dublin, IRL)

Trinity Coll., Dublin, IRL について

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LUNNEY J G

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(Trinity Coll., Dublin, IRL)

Trinity Coll., Dublin, IRL について

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HEGARTY J

HEGARTY J について

(Trinity Coll., Dublin, IRL)

Trinity Coll., Dublin, IRL について


資料名：
Rare Earth Doped Semiconductors  (Rare Earth Doped Semiconductors)

Rare Earth Doped Semiconductors について


ページ： 67-72  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930548  ISBN： 1-55899-197-2  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
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Er3+

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LASER

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