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J-GLOBAL ID：200902188413124116   整理番号：96A0216748

伝導帯と価電子帯で異なる有効質量を持つ狭ギャップ半導体におけるトンネリング

Tunneling through a narrow-gap semiconductor with different conduction- and valence-band effective masses.
著者 (3件)：
HATTA E

HATTA E について

(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について

, 
NAGAO J

NAGAO J について

(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について

, 
MUKASA K

MUKASA K について

(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について


資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について


巻： 79  号： 3  ページ： 1511-1514  発行年： 1996年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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エネルギーギャップ内の分散関係の記述にFlietnerの二バ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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トンネル接合

トンネル接合 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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Flietnerモデル

Flietnerモデル について

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分類 (1件)：
分類
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半導体-金属接触 
(BM03084G)

半導体-金属接触 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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伝導帯

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価電子帯

価電子帯 について

, 
有効質量

有効質量 について

, 
ギャップ

ギャップ について

, 
トンネリング

トンネリング について


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