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J-GLOBAL ID：200902188420002026   整理番号：97A0541986

0.1μm近傍及び以下における集積化への技術チャレンジ

Technology Challenges for Integration Near and Below 0.1 μm.
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著者 (2件)：
ASAI S

ASAI S について

(Hitachi Ltd., Saitama, JPN)

Hitachi Ltd., Saitama, JPN について

, 
WADA Y

WADA Y について

(Hitachi Ltd., Saitama, JPN)

Hitachi Ltd., Saitama, JPN について


資料名：
Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)

Proceedings of the IEEE について


巻： 85  号： 4  ページ： 505-520  発行年： 1997年04月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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現在開発中のCMOS技術(0.25μm)をレビューし,ついで...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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CMOS構造

CMOS構造 について

,...
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集積化

集積化 について


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分類 (1件)：
分類
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集積回路一般 
(NC03161C)

集積回路一般 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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近傍

近傍 について

, 
集積化

集積化 について


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