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J-GLOBAL ID：200902188600589840   整理番号：00A0729029

ビス-トリメチルシリルメタン前駆体を用いたプラズマ増強化学蒸着により作製した低k Si-O-C-Hコンポジット膜

Low-k Si-O-C-H composite films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using bis-trimethylsilylmethane precursor.

著者 (3件)： KIM Y-H (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE S-K (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM H J (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 18  号： 4,Pt.1  ページ： 1216-1219  発行年： 2000年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のコンポジット膜をrfプラズマ反応器中で標記前駆体と酸素...

シソーラス用語： *プラズマCVD ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

物質索引 (1件)： ビス(トリメチルシリル)メタン

タイトルに関連する用語 (6件)： ビス ,  前駆体 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  作製 ,  Si ,  コンポジット膜