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J-GLOBAL ID：200902188709271092   整理番号：99A0245628

反応性イオンエッチングによる二次元フォトニック結晶のInPサブミクロン柱の加工

Fabrication of InP Submicron Pillars for Two-Dimensional Photonic Crystals by Reactive Ion Etching.

著者 (8件)： HATATE H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HASHIMOTO M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SHIRAKAWA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJIWARA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKANO H (SAMCO International Inc., Kyoto, JPN) ,  TATSUTA T (SAMCO International Inc., Kyoto, JPN) ,  TSUJI O (SAMCO International Inc., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 12B  ページ： 7172-7176  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCl₄/Ar誘導結合プラズマおよび...

シソーラス用語： *RIE【エッチング】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (13件)：

• 1) E. Yablonovitch: Phys. Rev. Lett. 58 (1987) 2059
• 2) S. Jhon: Phys. Rev. Lett. 58 (1987) 2486
• 3) E. Yablonovitch: J. Opt. Soc. Am. B 10 (1993) 283
• 4) E. Yablonovitch: J. Phys. Condens. Matter 5 (1993) 2443
• 5) E. R. Brown, C. D. Parker and E. Yablonovitch: J. Opt. Soc. Am. B 10 (1993) 404

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応性イオンエッチング ,  二次元フォトニック結晶 ,  InP ,  サブ