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J-GLOBAL ID：200902188719472428   整理番号：97A1021129

高品質のSiC化学蒸着に使うその場基板調製

In situ substrate preparation for high-quality SiC chemical vapour deposition.

著者 (7件)： HALLIN C (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  OWMAN F (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  MARTENSSON P (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  ELLISON A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  KONSTANTINOV A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  KORDINA O (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 181  号： 3  ページ： 241-253  発行年： 1997年11月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素及び水素-プロパンエッチング系で,4H及び6H炭化けい素...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： プロパン

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高品質 ,  SiC ,  化学蒸着 ,  調製