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J-GLOBAL ID：200902188776527956   整理番号：93A0610373

有機V族適用によるInGaP/InGaAs HEMT用結晶の高均一・多数枚MOVPE成長

Uniform multi-water MOVPE growth of InGaP/InGaAs HEMT structure with organic group-V sources.

著者 (4件)： 吉川俊英 (富士通研) ,  落水洋聡 (富士通研) ,  河西和美 (富士通研) ,  米野純次 (富士通研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 319  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaP ,  InGaAs ,  HEMT ,  結晶 ,  MOVPE ,  成長