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J-GLOBAL ID：200902188857156731   整理番号：98A0928944

ULSI用shallow接合ドーピング技術

Shallow junction doping technologies for ULSI.
著者 (2件)：
JONES E C

JONES E C について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
ISHIDA E

ISHIDA E について

(Advanced Micro Devices, CA, USA)

Advanced Micro Devices, CA, USA について


資料名：
Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)

Materials Science & Engineering. R. Reports について


巻： R24  号： 1/2  ページ： I-VII 1-80  発行年： 1998年10月01日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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MOSFETのサブナノメータ領域で使用される標記技術について...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*超LSI

超LSI について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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レーザドーピング

レーザドーピング について


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分類 (2件)：
分類
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  金属-絶縁体-半導体構造 
(BM03085X)

金属-絶縁体-半導体構造 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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ULSI

ULSI について

, 
ドーピング

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