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J-GLOBAL ID：200902188870771046   整理番号：00A0305056

多孔質シリコン(Si)層の作製とEL発光現象

Preparation and EL Emission Phenomena of Porous Silicon Layers.

著者 (2件)： 鷲野隆 (東海大) ,  上村税男 (東海大 開発工)
資料名： 東海大学紀要 開発工学部  (Bulletin of School of High-Technology for Human Welfare, Tokai University)
号： 9  ページ： 193-200,200(1),201-202  発行年： 1999年 
JST資料番号： L1465A  ISSN： 0917-7612  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 低抵抗と高抵抗二種類のp-Si単結晶基板を用い,陽極化処理を...

シソーラス用語： 多孔質体 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多孔質シリコン ,  Si ,  層 ,  作製 ,  EL