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J-GLOBAL ID：200902188990705462   整理番号：02A0127161

Growth of GaN Layers by One-, Two-, and Three-Flow Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.

著者 (3件)： OHKAWA K (Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAKO A (Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YOSHITANI M (Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 188  号： 2  ページ： 621-624  発行年： 2001年11月23日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： GaN