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J-GLOBAL ID：200902188995573807   整理番号：94A0651358

(0001)Al₂O₃,(01<span style=text-decoration:overline>1</span>2)Al₂O₃および(0001)Si6H-SiC基板上に成長させたGaN薄膜の熱安定性

Thermal stability of GaN thin films grown on (0001) Al₂O₃, (0112) Al₂O₃ and (0001)_Si 6H-SiC substrates.

著者 (7件)： SUN C J (Northwestern Univ., Illinois) ,  KUNG P (Northwestern Univ., Illinois) ,  SAXLER A (Northwestern Univ., Illinois) ,  OHSATO H (Northwestern Univ., Illinois) ,  BIGAN E (Northwestern Univ., Illinois) ,  RAZEGHI M (Northwestern Univ., Illinois) ,  GASKILL D K (Naval Research Lab., Washington, D.C.)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 76  号： 1  ページ： 236-241  発行年： 1994年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 常圧有機金属化学によって単結晶GaNを標記の三種類の基板上に...

シソーラス用語： 基板 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al2O3 ,  成長 ,  GaN ,  薄膜 ,  熱安定性