III-V窒化物  重要な次世代電子材料

MONEMAR B

文献

J-GLOBAL ID：200902189040389617 整理番号：99A0704807

III-V窒化物重要な次世代電子材料

III-V nitrides. Important future electronic materials.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 10 号： 4 ページ： 227-254 発行年： 1999年06月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

AlN-GaN-InNからなる窒化物材料の最近の発展を電気的...

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半導体薄膜 , 固体デバイス材料 , 結晶成長技術・装置

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