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J-GLOBAL ID：200902189303153249   整理番号：94A0852580

直接型ギャップGe/GeSn/SiとGeSn/Ge/Siヘテロ構造

Direct-gap Ge/GeSn/Si and GeSn/Ge/Si heterostructures.
著者 (2件)：
SOREF R A

SOREF R A について

(Rome Lab., MA, USA)

Rome Lab., MA, USA について

, 
FRIEDMAN L

FRIEDMAN L について

(Rome Lab., MA, USA)

Rome Lab., MA, USA について


資料名：
Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)

Superlattices and Microstructures について


巻： 14  号： 2/3  ページ： 189-193  発行年： 1993年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シリコン系V族ヘテロ構造で,直接型ギャップ半導体層を形成する...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ゲルマニウム

ゲルマニウム について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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禁止帯

禁止帯 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

半導体結晶の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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ギャップ

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Ge

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Si

Si について

, 
ヘテロ構造

ヘテロ構造 について


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