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J-GLOBAL ID：200902189307758110   整理番号：02A0311121

パルス光支援電着によるp-Si(111)基板上へのCdTeのヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial growth of CdTe on a p-Si (111) substrate by pulsed-light-assisted electrodeposition.

著者 (4件)： TAKAHASHI M (Chubu Univ., Aichi, JPN) ,  TODOROBARU M (Chubu Univ., Aichi, JPN) ,  WAKITA K (Chubu Univ., Aichi, JPN) ,  UOSAKI K (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 12  ページ： 2117-2119  発行年： 2002年03月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質および高配向CdTe膜が,パルス光支援電着技術によりS...

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス光 ,  支援 ,  電着 ,  Si ,  CdTe ,  成長