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J-GLOBAL ID：200902189414154457   整理番号：01A0370222

表面活性化法によるシリコンウェハの常温接合

Room-Temperature Bonding of Silicon Wafers by means of the Surface Activation Method.
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著者 (1件)：
高木秀樹

高木秀樹 について

(機械技研)

機械技研 について


資料名：
機械技術研究所報告  (Report of Mechanical Engineering Laboratory)

機械技術研究所報告 について


号： 189  ページ： 110P  発行年： 2000年12月 
JST資料番号： F0148A  ISSN： 0286-2255  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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アルゴンビームエッチングを用いた表面活性化法を,シリコン(S...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ウエハ【IC】

ウエハ【IC】 について

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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活性化法

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, 
シリコンウェハ

シリコンウェハ について

, 
常温接合

常温接合 について


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