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J-GLOBAL ID：200902189454019862   整理番号：99A0483279

強磁性体/Al-Oxide/Co接合のトンネル磁気抵抗効果の印加電圧及び温度依存性

Voltage and Temperature Dependence of the TMR Effect for Ferromagnet/Al-Oxide/Co Junctions.

著者 (3件)： 大兼幹彦 (東北大 大学院) ,  手束展規 (東北大 大学院) ,  宮崎照宣 (東北大 大学院)
資料名： 日本応用磁気学会誌  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 23  号： 4-2  ページ： 1297-1300  発行年： 1999年04月15日 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 0285-0192  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代磁気ヘッドを目標に,第一強磁性層の膜厚を変えた強磁性ト...

シソーラス用語： コバルト ,...
準シソーラス用語： 強磁性トンネル接合

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分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

引用文献 (13件)：

• 1) T. Miyazaki and N. Tezuka : J. Magn. Magn. Mat., 139, L231 (1995).
• 2) J. S. Moodera, L. R. Kinder, T. M. Wong and R. Meservey : Phys. Rev. Lett., 74, 3273 (1995).
• 3) N. Tezuka and T. Miyazaki : Jpn. J. Appl. Phys., 37, L218 (1998).
• 4) M. Julliere : Phys. Lett., 54A, 225, (1975).
• 5) J. C. Slonczewski : Phys. Rev. B, 39, 6995 (1989).

タイトルに関連する用語 (6件)： 強磁性体 ,  Al ,  CO ,  トンネル磁気抵抗効果 ,  印加電圧 ,  温度依存性