文献

J-GLOBAL ID：200902189467008274   整理番号：97A0326207

ガリウムドープCdTe MOVPE層の輸送特性

Transport properties in gallium doped CdTe MOVPE layers.

著者 (2件)： FERID T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SAJI M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 172  号： 1/2  ページ： 83-88  発行年： 1997年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウムドープn型CdTe有機金属気相エピタキシャル層でHa...

シソーラス用語： テルル化カドミウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0326207&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガリウム ,  ドープ ,  CdTe ,  MOVPE ,  輸送特性