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J-GLOBAL ID：200902189603966845   整理番号：97A0385107

欠陥フリーのヘテロエピタキシャル成長用の格子工学コンプライアント基板

Lattice engineered compliant substrate for defect-free heteroepitaxial growth.

著者 (5件)： EJECKAM F E (Cornell Univ., New York) ,  LO Y H (Cornell Univ., New York) ,  SUBRAMANIAN S (Cornell Univ., New York) ,  HOU H Q (Sandia National Lab., New Mexico) ,  HAMMONS B E (Sandia National Lab., New Mexico)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 13  ページ： 1685-1687  発行年： 1997年03月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同一材料の単結晶基板にねじり接着させた単結晶半導体薄膜をウエ...

シソーラス用語： 基板 ,...
準シソーラス用語： ねじれ粒界

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 欠陥 ,  成長 ,  格子 ,  工学