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J-GLOBAL ID：200902189734508370   整理番号：96A0493962

先鋭化したSiチップ上のダイヤモンド粒子の成長

Growth of diamond particles on sharpened Si tips.

著者 (8件)： GIVARGIZOV E I (Inst. Crystallography, Russian Acad. Sci., Moscow, SUN) ,  AKSENOVA L L (Inst. Crystallography, Russian Acad. Sci., Moscow, SUN) ,  GALSTYAN V G (Inst. Crystallography, Russian Acad. Sci., Moscow, SUN) ,  KISELEV A N (Inst. Crystallography, Russian Acad. Sci., Moscow, SUN) ,  KUZNETSOV A V (Inst. Crystallography, Russian Acad. Sci., Moscow, SUN) ,  MURATOVA V I (Inst. Crystallography, Russian Acad. Sci., Moscow, SUN) ,  RAKOVA E V (Inst. Crystallography, Russian Acad. Sci., Moscow, SUN) ,  STEPANOVA A N (Inst. Crystallography, Russian Acad. Sci., Moscow, SUN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 162  号： 1/2  ページ： 73-78  発行年： 1996年04月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鋭くしたSiチップ上での,ホットフィラメントCVDプロセスに...

シソーラス用語： ダイヤモンド ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 先鋭化 ,  Siチップ ,  ダイヤモンド粒子 ,  成長