電子サイクロトロン共鳴プラズマ促進化学蒸着で成長させたエルビウムドープシリコン  酸素薄膜からの室温における1.54μmのEr<sup>3+</sup>発光の組成依存性

SHIN J H; KIM M-J; SEO S-Y; LEE C

文献

J-GLOBAL ID：200902189745522243 整理番号：98A0349005

電子サイクロトロン共鳴プラズマ促進化学蒸着で成長させたエルビウムドープシリコン酸素薄膜からの室温における1.54μmのEr³⁺発光の組成依存性

Composition dependence of room temperature 1.54μm Er³⁺ luminescence from erbium-doped silicon: oxygen thin films deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition.

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資料名：
巻： 72 号： 9 ページ： 1092-1094 発行年： 1998年03月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Erの同時スパッタリングによるSiH₄...

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半導体のルミネセンス

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電子サイクロトロン共鳴プラズマ促進化学蒸着で成長させたエルビウムドープシリコン 酸素薄膜からの室温における1.54μmのEr3+発光の組成依存性

電子サイクロトロン共鳴プラズマ促進化学蒸着で成長させたエルビウムドープシリコン酸素薄膜からの室温における1.54μmのEr³⁺発光の組成依存性