量子細線中のGaAsのp-n接合から放出された光の偏光依存性

HARAGUCHI K; KATSUYAMA T; HIRUMA K

文献

J-GLOBAL ID：200902190081359631 整理番号：94A0463797

量子細線中のGaAsのp-n接合から放出された光の偏光依存性

Polarization dependence of light emitted from GaAs p-n junctions in quantum wire crystals.

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巻： 75 号： 8 ページ： 4220-4225 発行年： 1994年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

有機金属気相エピタクシーによって約100nmの直径を持つGa...

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半導体のルミネセンス , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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