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J-GLOBAL ID：200902190275525869   整理番号：93A0674103

ヘテロ接合FETにおけるアンドープAlGaAsショットキ層の耐圧に及ぼす効果

Breakdown Voltage Enhancement of a Heterojunction FET with an Undoped AlGaAs Schottky Layer.

著者 (4件)： 岡本康宏 (日本電気 関西エレクトロニクス研) ,  岩田直高 (日本電気 関西エレクトロニクス研) ,  猪砂佳子 (日本電気 関西エレクトロニクス研) ,  葛原正明 (日本電気 関西エレクトロニクス研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 3  ページ： 1250  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ接合FET ,  AlGaAs ,  耐圧