有機金属化学蒸着によって成長させた窒化ガリウムの性質に及ぼすサファイアの窒化の影響

KELLER S; KELLER B P; WU Y-F; HEYING B; KAPOLNEK D; SPECK J S; MISHRA U K; DENBAARS S P

文献

J-GLOBAL ID：200902190552617466 整理番号：96A0299885

有機金属化学蒸着によって成長させた窒化ガリウムの性質に及ぼすサファイアの窒化の影響

Influence of sapphire nitridation on properties of gallium nitride grown by metalorganic chemical vapor deposition.

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資料名：
巻： 68 号： 11 ページ： 1525-1527 発行年： 1996年03月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

成長が始まる前にサファイア基板をアンモニアに曝すとGaN薄膜...

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半導体薄膜

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