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J-GLOBAL ID：200902190946426429   整理番号：99A0095575

共晶温度の上下におけるガラス基板上の非晶質けい素におけるアルミニウム誘起の結晶化

Aluminum-induced crystallization of amorphous silicon on glass substrates above and below the eutectic temperature.

著者 (5件)： NAST O (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  PUZZER T (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  KOSCHIER L M (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  SPROUL A B (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  WENHAM S R (Univ. New South Wales, NSW, AUS)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 22  ページ： 3214-3216  発行年： 1998年11月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板に450~550nmのAl薄膜を蒸着した。次に非晶...

シソーラス用語： 陰極スパッタリング ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 共晶温度 ,  ガラス基板 ,  非晶質けい素 ,  アルミニウム ,  誘起 ,  結晶化