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J-GLOBAL ID：200902191008000680   整理番号：01A0788407

バルク窒化アルミニウムの成長とその後の基板作製に関する報告

Report on the growth of bulk aluminum nitride and subsequent substrate preparation.

著者 (6件)： ROJO J C (Crystal IS, Inc., NY, USA) ,  SLACK G A (Crystal IS, Inc., NY, USA) ,  MORGAN K (Crystal IS, Inc., NY, USA) ,  RAGHOTHAMACHAR B (SUNY, NY, USA) ,  DUDLEY M (SUNY, NY, USA) ,  SCHOWALTER L J (Crystal IS, Inc., NY, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 231  号： 3  ページ： 317-321  発行年： 2001年10月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きさ1cmを超す高品質バルクAlN結晶粒を自己種結晶昇華-...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  窒化アルミニウム ,  成長 ,  作製 ,  報告