シリコンの選択エッチングを利用したミクロエミッタアレイの製作における新しい自己整合プロセス

文献

J-GLOBAL ID：200902191023059420 整理番号：97A0262657

A New Self-Aligned Process for Fabrication of Microemitter Arrays Using Selective Etching of Silicon.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=97A0262657&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0262657&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 35 号： 12B ページ： 6632-6636 発行年： 1996年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

単結晶Siの結晶方位とドーピング濃度に依存するエッチング特性...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0262657&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

その他の固体デバイス , 電子源,イオン源

引用文献 (8件)：

ASANO, T. IEEE Trans.Electron Devices. 1991, 38, 2392
SPINDT, C. A. J.Appl.Phys. 1968, 7, 3504
ITOH, J. Proc.7th Int.Vacuum Microelectronics Conference, Grenoble, 1994. 25
URAYAMA, M. Jpn.J.Appl.Phys. 1993, 32, 6293
NAKAMOTO, M. Proc.7th Int.Vacuum Microelectronics Conference, Grenoble, 1994. 41

, , , ,

前のページに戻る