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J-GLOBAL ID：200902191325210682   整理番号：99A0609566

H₂プラズマ処理によるkの小さいメチルシルセスキオキサンの酸素プラズマ耐性の増強

Enhancing the Oxygen Plasma Resistance of Low-k Methylsilsesquioxane by H₂ Plasma Traeatment.

著者 (4件)： LIU P-T (National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, TWN) ,  CHANG T-C (National Nano Device Lab., Hsin Chu, TWN) ,  MOR Y-S (National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, TWN) ,  SZE S M (National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 6A  ページ： 3482-3486  発行年： 1999年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LSIの層間絶縁膜として使われているメチルシルセスキオキサン...

シソーラス用語： *シロキサン誘導体 ,...
準シソーラス用語： *プラズマプロセシング ,...

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分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (10件)：

• (1) T.E. Seidel and C.H. Ting: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 381 (1995) 3.
• (2) Y.J. Mei, T.C. Chang, S.J. Chang and C.Y. Chang: Thin Solid Films 308 (1997) 501.
• (3) A. Nakashima, M. Egami, M. Komatsu, Y. Ohkura, M. Miyajima, H. Harada and S. Fukuyama: Dielectrics for ULSI Multilevel Interconnection Conf. (1997) p.303.
• (4) B.T. Ahlburn, G.A. Brown, T.R. Seha, T.F. Zoes, Y. Yokose, D.S. Balance and K.A. Scheibert: Dielectrics for ULSI Multilevel Interconnection Conf. (1995) p.36.
• (5) P.T. Liu, T.C. Chang, S.M. Sze, F.M. Pan, Y.J. Mei, W.F. Wu, M.S. Tsai, B.T. Dai, C.Y. Chang, F.Y. Shih and H.D. Huang: Thin Solid Film 332 (1998) 345.

タイトルに関連する用語 (5件)： H2 ,  プラズマ処理 ,  酸素プラズマ ,  耐性 ,  増強