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J-GLOBAL ID：200902191335315725   整理番号：00A0114662

AlGaInN-GaNレーザダイオードのCW動作

CW Operation of AlGaInN-GaN Laser Diodes.

著者 (9件)： ASANO T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  YANASHIMA K (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  ASATSUMA T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  HINO T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  YAMAGUCHI T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  TOMIYA S (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  FUNATO K (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  KOBAYASHI T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  IKEDA M (Sony Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 176  号： 1  ページ： 23-30  発行年： 1999年11月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaInN-GaNレーザダイオードを1.6atmの高圧有...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  レーザダイオード ,  CW