アモルファスTa<sub>2</sub>O<sub>5</sub>薄膜における欠陥支配電荷輸送

FLEMING R M; LANG D V; JONES C D W; STEIGERWALD M L; ALERS G B; WONG Y-H; VAN DOVER R B; KWO J R; SERGENT A M

文献

J-GLOBAL ID：200902192148986272 整理番号：00A0852934

アモルファスTa₂O₅薄膜における欠陥支配電荷輸送

Defect dominated charge transport in amorphous Ta₂O₅ thin films.

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資料名：
巻： 88 号： 2 ページ： 850-862 発行年： 2000年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Ta₂O₅はシリ...

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金属-絶縁体-金属構造 , 酸化物薄膜

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アモルファスTa2O5薄膜における欠陥支配電荷輸送

アモルファスTa₂O₅薄膜における欠陥支配電荷輸送