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J-GLOBAL ID：200902192218764736   整理番号：00A0304572

VHFスパッタリング法により作製した水素化アモルファス炭素薄膜の基板バイアスの効果

Influence of Substrate Bias on Hydrogenated Amorphous Carbon Films Prepared by VHF Sputtering.

著者 (4件)： 松井謙治 (琉球大 大学院) ,  喜友名達也 (東芝) ,  比嘉晃 (琉球大 工) ,  渡久地実 (琉球大 工)
資料名： 琉球大学工学部紀要  (Bulletin of the Faculty of Engineering, University of the Ryukyus)
号： 59  ページ： 101-106  発行年： 2000年03月01日 
JST資料番号： Z0656B  ISSN： 0389-102X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水素化アモルファス炭素(a-C:H)薄膜について,a-C:H...

シソーラス用語： *薄膜成長 ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： VHF ,  スパッタリング法 ,  作製 ,  水素化アモルファス炭素 ,  薄膜 ,  基板バイアス