文献

J-GLOBAL ID：200902192401196712   整理番号：02A0179161

新規な自己整合型二重ゲートTFT技術

A Novel Self-Aligned Double-Gate TFT Technology.

著者 (4件)： ZHANG S (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  HAN R (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  SIN J K O (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG) ,  CHAN M (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 22  号： 11  ページ： 530-532  発行年： 2001年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリシリコンTFTは完全集積型の平面型表示装置を作成する有望...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 自己整合 ,  二重ゲート ,  TFT