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J-GLOBAL ID：200902192708457025   整理番号：00A0388952

(100),(111)及びランダム配向をした菱面体晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜の圧電特性

Piezoelectric properties of rhombohedral Pb(Zr,Ti)O₃ thin films with (100), (111), and “random” crystallographic orientation.

著者 (2件)： TAYLOR D V (Swiss Federal Inst. Technol., Lausanne, CHE) ,  DAMJANOVIC D (Swiss Federal Inst. Technol., Lausanne, CHE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 12  ページ： 1615-1617  発行年： 2000年03月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pb(Zr_0.6Ti<sub>0.4<...

シソーラス用語： 強誘電体 ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】 ,...

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分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (8件)： ランダム配向 ,  菱面体晶 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  薄膜 ,  圧電特性