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J-GLOBAL ID：200902192737655480   整理番号：95A1009378

水素ラジカルCVD法によるa-SiC:Hの形成 光劣化特性に影響する要因

Deposition of a-SiC:H by H Radical CVD Method. Cause of Light Induced Degradation.

著者 (4件)： 安藤伸行 (東京農工大 工) ,  猪股宏二郎 (東京農工大 工) ,  永吉浩 (東京農工大 工) ,  上迫浩一 (東京農工大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 56th  号： 2  ページ： 780  発行年： 1995年08月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素ラジカル ,  CVD法 ,  SiC ,  光劣化 ,  要因