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J-GLOBAL ID：200902192840841411   整理番号：99A0282996

MOCVDにより成長させたMgドープp型GaNにおける自己補償

Self-compensation in Mg doped p-type GaN grown by MOCVD.

著者 (7件)： OBLOH H (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  BACHEM K H (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  KAUFMANN U (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  KUNZER M (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  MAIER M (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  RAMAKRISHNAN A (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  SCHLOTTER P (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 195  号： 1/4  ページ： 270-273  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOCVD ,  成長 ,  Mg ,  ドープ ,  GaN ,  自己 ,  補償