シリコンオンウエハ試験構造におけるパッド寄生効果の影響を正確に説明する,改良型三段階掘出し法

VANDAMME E P; SCHREURS D M M-P; VAN DINTHER C

文献

J-GLOBAL ID：200902193121443133 整理番号：01A0628652

シリコンオンウエハ試験構造におけるパッド寄生効果の影響を正確に説明する,改良型三段階掘出し法

Improved Three-Step De-Embedding Method to Accurately Account for the Influence of Pad Parasitics in Silicon On-Wafer RF Test-Structures.

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資料名：
巻： 48 号： 4 ページ： 737-742 発行年： 2001年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

被試験デバイス(DUT)のRF動作のモデル化には専用のオンウ...

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固体デバイス計測・試験・信頼性

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