文献

J-GLOBAL ID：200902193303575183   整理番号：02A0628232

(1-102)r面サファイア基板上に成長した無極性(11-20)a面GaN薄膜の構造の特性化

Structural characterization of nonpolar (11<span style=text-decoration:overline>2-</span>0) a-plane GaN thin films grown on (1<span style=text-decoration:overline>1-</span>02) r-plane sapphire.

著者 (5件)： CRAVEN M D (Univ. California, California) ,  LIM S H (Univ. California, California) ,  WU F (Univ. California, California) ,  SPECK J S (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 3  ページ： 469-471  発行年： 2002年07月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDを用いて高温の成長段階の前に低温の核形成層を生成し...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： TEM【顕微鏡】

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0628232&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア基板 ,  成長 ,  無極性 ,  GaN ,  薄膜 ,  特性化