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J-GLOBAL ID：200902193338567906   整理番号：02A0332819

コンプトン散乱B(r)関数中の運動学的構造パラメタによる半導体価電子結合性の研究

Study of Valence Electronic Bond Character through Kinematical Structure Parameters in Compton Scattering B(r)-Function of Semiconductors.

著者 (1件)： KOBAYASI T (Tohoku Univ.)
資料名： 東北大学医療技術短期大学部紀要  (Bulletin of College of Medical Sciences, Tohoku University)
巻： 11  号： 1  ページ： 37-44  発行年： 2002年02月28日 
JST資料番号： L1867A  ISSN： 0917-4435  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コンプトン散乱B(r)関数(I)の運動学的構造パラメタを用い...

シソーラス用語： *半導体接合 ,...
準シソーラス用語： コンプドン散乱B

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： コンプトン散乱 ,  関数 ,  運動学 ,  構造パラメタ ,  価電子 ,  研究