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J-GLOBAL ID：200902193363740345   整理番号：98A0426442

10nmまでのチャネル長のSchottky障壁MOSFETの二次元数値シミュレーション

Two-Dimensional Numerical Simulation of Schottky Barrier MOSFET with Channel Length to 10nm.

著者 (3件)： HUANG C-K (Univ. Maryland, MD, USA) ,  ZHANG W E (Univ. Maryland, MD, USA) ,  YANG C H (Univ. Maryland, MD, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 45  号： 4  ページ： 842-848  発行年： 1998年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のMOSFETと同様の構造を持つが,ソースとドレイン領域...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： チャネル長 ,  Schottky障壁 ,  MOSFET ,  数値シミュレーション