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J-GLOBAL ID:200902193370768280   整理番号:02A0501701

強誘電体RAM(FeRAM)埋め込みLSIおよび単一トランジスタ型FeRAMデバイスのためのフラッシュランプを用いた新しいPb(Ti,Zr)O3(PZT)結晶化技術

Novel Pb(Ti,Zr)O3(PZT) Crystallization Technique Using Flash Lamp for Ferroelectric RAM (FeRAM) Embedded LSIs and One Transistor Type FeRAM Devices.
著者 (7件):
資料名:
巻: 41  号: 4B  ページ: 2630-2634  発行年: 2002年04月30日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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基板に損傷を与えること無しにPb(Ti,Zr)O<sub>3...
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分類 (3件):
分類
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固相転移  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  半導体集積回路 
引用文献 (3件):
  • ITO, T. Ext. Abstr. 2001 Int. Conf. Solid State Devices & Materials. 2001, 182
  • YAMAKAWA, K. Proc. ISAF. 1998, 159
  • YAMAKAWA, K. Proc. ISIF 2001. 2001

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