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J-GLOBAL ID：200902193378837493   整理番号：99A0739646

GaNを用いた電子デバイス

Electronic devices using GaN.
著者 (1件)：
吉田清輝

吉田清輝 について

(古河電気工業 横浜研)

古河電気工業 横浜研 について


資料名：
応用物理  (JSAP International)

応用物理 について


巻： 68  号： 7  ページ： 787-792  発行年： 1999年07月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
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GaNはSiC,ダイヤモンドと同様ワイドバンドギャップ半導体...
シソーラス用語：
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*窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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禁止帯

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

引用文献 (33件)：
  • 1) S. Nakamura,Y.Harada and M. Senoh: Appl. Phys. Lett, 58, 2021 (1991).
  • 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: AppL Phys. Lett. 69, 3034 (1996).
  • 3) 野勝典:応用物理学会結晶工学分科会第107園テキスト, p. 37 (1997).
  • 4) 菅原良孝:電気学会誌 118, 282 (1998).
  • 5) 吉田貞史:電子通信情報学会誌 79, 1219 (1997).
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タイトルに関連する用語 (2件)：
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