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J-GLOBAL ID：200902193420141283   整理番号：99A0245343

酸化拡散炉による酸化膜成膜条件の最適化

Optimization for thermal oxidation of silicon.

著者 (3件)： 問山清和 (広島県西部工技セ) ,  山下弘之 (広島県西部工技セ) ,  縄稚典生 (広島県西部工技セ)
資料名： 品質工学  (Journal of Robust Quality Engineering Society)
巻： 7  号： 1  ページ： 43-49  発行年： 1999年02月 
JST資料番号： L3004A  ISSN： 2189-633X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化拡散炉は,加熱炉内でシリコン基板を熱しその中にドライある...

シソーラス用語： *酸化膜 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  統計的品質管理  (KB04030W)

引用文献 (4件)：

• 1) 麻薪立男:超微細加工の基礎,日刊工業新社(1993)
• 2) 伊藤隆司,石川元,中村宏昭:VSLIの薄膜技術,丸善(1986)
• 3) 矢野宏:品質工学入門,日本規格協会(1995)
• 4) 矢野宏:加工品質工学,工業調査会(1994)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化 ,  拡散 ,  酸化膜 ,  成膜条件 ,  最適化