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J-GLOBAL ID：200902193569758585   整理番号：02A0036186

ダイヤモンド電界効果トランジスタの高周波性能

High-Frequency Performance of Diamond Field-Effect Transistor.

著者 (5件)： TANIUCHI H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  UMEZAWA H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ARIMA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TACHIKI M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWARADA H (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 22  号： 8  ページ： 390-392  発行年： 2001年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンドは絶縁破壊電界が高く,熱伝導率が大きく,誘電率が...

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンド ,  電界効果トランジスタ ,  高周波