文献

J-GLOBAL ID：200902193929494070   整理番号：00A0154702

けい素上の陽極処理したアルミニウムの自己秩序化した孔構造とパターン移動

Self-ordered pore structure of anodized aluminum on silicon and pattern transfer.

著者 (4件)： CROUSE D (Cornell Univ., New York) ,  LO Y-H (Cornell Univ., New York) ,  MILLER A E (Univ. Notre Dame, Indiana) ,  CROUSE M (Univ. Notre Dame, Indiana)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 1  ページ： 49-51  発行年： 2000年01月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔性アルミナに作製したナノサイズ孔の六方配列をSiや他の基...

シソーラス用語： 多孔質体 ,...
準シソーラス用語： *陽極酸化

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0154702&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： けい素 ,  陽極処理 ,  アルミニウム ,  自己秩序化