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J-GLOBAL ID：200902194109436217   整理番号：97A0994993

酸化膜エッチをプラズマ源で切る DPSプラズマのエッチング特性 単純な原理と構造が特徴

Focus on SiO₂ Etching in the Plasma Source. Characteristic of DPS Plasma Etching.

著者 (9件)： 堀岡啓治 (アプライドマテリアルズジャパン) ,  LOEWENHARDT P (アプライドマテリアルズ) ,  SATO A (アプライドマテリアルズ) ,  QIAN X (アプライドマテリアルズ) ,  YE Y (アプライドマテリアルズ) ,  MUI D (アプライドマテリアルズ) ,  CHINN J (アプライドマテリアルズ) ,  PODLESNIK D (アプライドマテリアルズ) ,  YIN G (アプライドマテリアルズ)
資料名： 月刊Semiconductor World  (月刊セミコンダクターワールド)
巻： 16  号： 13  ページ： 90-93  発行年： 1997年11月 
JST資料番号： Y0509A  ISSN： 0286-5025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 誘導結合型プラズマ(ICP)の特徴は,構造と原理が単純なこと...

シソーラス用語： 酸化膜 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化膜 ,  エッチ ,  プラズマ源 ,  DPS ,  プラズマ ,  エッチング特性 ,  原理