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J-GLOBAL ID：200902194227938952   整理番号：00A0767983

窒化物ヘテロ構造における分極場のドーピングスクリーニング

Doping screening of polarization fields in nitride heterostructures.

著者 (5件)： DI CARLO A (Univ. Roma “Tor Vergata”, Rome, ITA) ,  DELLA SALA F (Univ. Roma “Tor Vergata”, Rome, ITA) ,  LUGLI P (Univ. Roma “Tor Vergata”, Rome, ITA) ,  FIORENTINI V (Univ. Cagliari, Cagliari, ITA) ,  BERNARDINI F (Univ. Cagliari, Cagliari, ITA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 26  ページ： 3950-3952  発行年： 2000年06月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己無撞着のタイトバインディング近似法を用い,分極場,注入キ...

シソーラス用語： *窒化物 ,...
準シソーラス用語： TB近似

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化物 ,  ヘテロ構造 ,  分極 ,  ドーピング ,  スクリーニング