ArFフォトレジストによるサブ0.12μm窒化物ハードマスク開口プロセス

文献

J-GLOBAL ID：200902194324560417 整理番号：02A0230076

Sub 0.12 μm Nitride Hard Mask Open Process with ArF Photoresist.

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資料名：
巻： 1st ページ： 253-258 発行年： 2001年11月20日
JST資料番号： Y0378B 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

高さ200nm、幅90nmの窒化物パターン形成のために、容量...

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固体デバイス製造技術一般

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