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J-GLOBAL ID：200902194361519397   整理番号：97A0738156

強誘電体ヒステリシス特性モデルの開発とその応用

Ferroelectric Hysteresis Loop Model.

著者 (3件)： 西村清 (ローム) ,  淵上貴昭 (ローム) ,  干場一博 (ローム)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C-2  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
巻： J80-C-2  号： 7  ページ： 229-235  発行年： 1997年07月 
JST資料番号： L0196A  ISSN： 0915-1907  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 強誘電体メモリの動作をシミュレーションするために,強誘電体の...

シソーラス用語： 強誘電体 ,...
準シソーラス用語： FRAM

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (8件)：

• ISHIBASHI, Y. Amodel of polarization reversal in ferroelectics. J. Phys. Soc. Jpn. 1990, 59, 11, 4148-4154
• ISHIBASHI, Y. Note on ferroelectric domain switching. J. Phys. Soc. Jpn. 1971, 31, 2, 506-510
• MIHARA, T. Feasibility for memory devices and electrical characterization of newly developed fatigue free capacitors. Proc. 4th Int. Symposium on Integrated Ferroelectrics, Monterey. 1992, 137-157
• QMURA, M. Simulations of ferroelectric characteristics using a onedimensional lattice model. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, 9B, 2384-2387
• CLARK, L. T. Measurement and Simulation of Partial Switching in Ferroelectic PZT Thin-Films. Proc. 4th Int. Symposium on Integrated Ferroelectrics, Monterey. 1992, 251-263

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  ヒステリシス特性 ,  モデル ,  開発 ,  応用