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J-GLOBAL ID：200902194452140757   整理番号：98A0118537

ポリシリコン薄膜トランジスタ(ポリ-TFT)における浮遊基板効果

Floating Body Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors.

著者 (6件)： VALDINOCI M (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  COLALONGO L (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  BACCARANI G (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  FORTUNATO G (IESS-CNR Inst., Rome, ITA) ,  PECORA A (IESS-CNR Inst., Rome, ITA) ,  POLICICCHIO I (IESS-CNR Inst., Rome, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 44  号： 12  ページ： 2234-2241  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数値シミュレーション法を用いて,標記ポリ-TFTの浮遊基板効...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...
準シソーラス用語： 寄生バイポーラトランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  TFT ,  浮遊基板効果